"Samsung" เริ่มผลิตความจำรูปแบบ eUFS 3.0 ที่สามารถอ่านเร็วระดับ 2,100Mb/s

หลังจาก Samsung ได้เผยโฉมชิปความจำแบบ eUFS 3.0 ซึ่งยังไม่ระบุว่าใช้กับอุปกรณ์อะไรทั้งสิ้น ซึ่งเน้นความจำที่เร็ว ขึ้นระดับการอ่าน 2,100 Mb/s และเขียนได้ 410/MB/s

 ตารางเปรียบเทียบหน่วยความจำของ Samsung

ล่าสุดชิปดังกล่าวเข้าสู่กระบวนการผลิต จุดเด่นที่ทำไมถึงเขียนและอ่านได้เร็วขนาดนี้เพราะมีการเพิ่ม ระบบการอ่านแบบสุ่ม ให้มีจำนวน 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ

โดยจะมีให้เลือกทั้งขนาด 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะออกมาในครึ่งปีหลัง