สื่อรายงาน Huawei เตรียมผลิตชิปเซ็ตเองโดยไม่ใช้ชิ้นส่วนของสหรัฐฯ แม้แต่ชิ้นเดียว
CEO ของ Huawei Consumer, Richard Yu ยืนยันแล้วว่า Huawei Mate 40 จะเป็นสมาร์ตโฟนรุ่นสุดท้ายที่มาพร้อมกับชิปประมวลผล Kirin โดยคาดว่าจะเป็น Kirin ซีรีส์ 1000 แต่เนื่องจากทาง TSMC ต้องทำตามกฏใหม่ของสหรัฐฯ ทำให้ไม่สามารถรับออเดอร์จาก Huawei ได้ และนั่นจึงเป็นแรงผลักดันให้ Huawei เริ่มต้นผลิตชิปเซ็ตด้วยตัวเอง
อ้างอิงจากผู้ใช้งาน Weibo โซเชียลยอดนิยมของจีนระบุว่า Huawei มีแผนที่จะสร้างโรงงานผลิตชิปของตัวเองเพื่อสร้างเซมิคอนดักเตอร์โดยที่ไม่ใช้ชิ้นส่วนหรือวัสดุจากสหรัฐอเมริกาแม้แต่ชิ้นเดียว รวมไปถึงการทำชิปเซ็ตด้วยตัวเองด้วย
ปัจจุบัน แผนกเซมิคอนดักเตอร์ของ Huawei หรือ HiSilicon มีประสบการณ์ในการออกแบบชิปอยู่แล้ว แต่ไม่สามารถผลิตเองได้ แถมยังเจอข้อจำกัดในการทำธุรกิจร่วมกับ TSMC อีก ครั้งนี้ถือเป็นความท้าทายครั้งใหญ่เพียงอย่างเดียวที่ Huawei ต้องเผชิญเพื่อสร้างชิปเซ็ตของตนเอง
อ้างอิงจากแหล่งที่มาระบุว่า Huawei จะเริ่มผลิตชิปเซ็ตด้วยเทคโนโลยีการผลิต 45nm โดยจะพร้อมใช้งานภายในปีนี้ แต่นอกจาก 45nm แล้ว Huawei ยังมีแผนทำชิปเซ็ต 28nm อีกด้วย ถึงแม้ว่าเทคโนโลยี 45nm และ 28nm นั้นจะดูล้าหลังไปมากในยุคสมัยนี้ แต่นับว่าเป็นการเริ่มต้นที่ดีของหัวเว่ย ทางผู้ผลิตจีนเองก็ยังต้องใช้เวลาในการศึกษาและพัฒนาการผลิตชิปต่อไป ล่าสุดมีรายงานว่ารัฐบาลจีนสนับสนุนให้ประเทศมีการสร้างเซมิคอนดักเตอร์ของจีนเอง โดยการจ้างหัวกะทิจาก TSMC มานับร้อยคนเลยทีเดียว
อย่างไรก็ตาม Huawei ยังไม่ได้ยืนยันข่าวลือนี้ และไม่ได้แสดงความคิดเห็นใด ๆ ทั้งสิ้น
ซึ่งปัจจุบันบริษัทจีนแท้ๆ ก็มีความคืบหน้าในการพัฒนาดังนี้
- SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation) บริษัทผลิตชิปที่ใหญ่ที่สุดของจีน เริ่มส่งมอบชิปที่ผลิตระดับ 14nm finFETs แล้ว ซึ่งสามารถผลิตชิป Kirin 710A ได้แล้ว (แต่ก็ยังถือว่าแย่กว่าชิป Kirin 710 ตัวต้นฉบับที่ผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 12 nm โดย TSMC) และกำลังพัฒนาการผลิตในระดับ 7 nm
- Yangtze Memory Technologies (YMTC) กำลังเข้าสู่ตลาด 3D NAND ระดับ 64-layer ส่วนระดับ 128-layer กำลังวิจัยอยู่
- ChangXin Memory Technology (CXMT) เริ่มส่งมอบ DRAM ขนาด 19nm แล้ว
- จีนกำลังเน้นการพัฒนาอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ด้วยสารใหม่ๆ อย่าง gallium nitride (GaN) และ silicon carbide (SiC).